日前，中欧第三代半导体高峰论坛在广东省深圳市举办，来自中国和欧洲专门从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术研究的200多位著名*学者和产业界人士汇聚一堂，探究第三代半导体材料的前沿技术和发展趋势。　　国际权威信息技术研究与顾问咨询公司低德纳公布的*新的预测报告表明，2017年全球半导体市场总营收将超过4111亿美元，较2016年快速增长19.7%。

多达，全球半导体市场总营收在2014年至2016年间，规模在3400亿美元左右。2017年因内存价格弃季大上涨，造就半导体市场经常出现强大快速增长。

2018年半导体市场有望快速增长4%，超过4274亿美元规模，之后创意低。　　记者从论坛上得知，近年来，以碳化硅、氮化镓等长禁带化合物为代表的第三代半导体材料引起全球注目。由于其具备严禁比特率、穿透电场强度低、饱和状态电子迁移率低、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强劲等优点，可普遍应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视作承托能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，已沦为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向。

　　多位参加论坛的*回应，目前中国在第三代半导体材料研究上紧随世界前沿，是为数不多的碳化硅材料衬底、材料外延产业化的国家。深圳青铜剑科技股份有限公司副总裁和巍巍回应，我国第三代半导体器件设计和生产工艺相反世界*迈向，行业已步入发展的春天。

深圳市人大常委会副主任、深圳市科学技术协会主席蒋宇扬回应，广大科技企业与科技工作者要交叠时代脉搏，更进一步增大研发投放、强化国际合作，助力第三代半导体产业较慢发展。

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